Fabrizio Arciprete nasce a Roma il 11 Dicembre 1966.

Nel 1991 si laurea in Fisica con lode all'Università di Roma "Tor Vergata".

Consegue il Dottorato di Ricerca in Fisica nel Novembre 1995 con la tesi: "Study of the formation of metal/GaAs(110) interfaces by means of electron energy loss and photoemission spectroscopies".

Da Gennaio 2016 è Professore Associato presso il Dipartimento di Fisica dell'Università di Roma "Tor Vergata".

Da Novembre 1999 a Dicembre 2015 è Ricercatore presso il Dipartimento di Fisica dell'Università di Roma "Tor Vergata".

Novembre 2017 - Consegue l'Abilitazione Scientifica Nazionale per la qualifica di Professore Ordinario per il settore concorsuale 02/B1 (Fisica sperimentale della Materia).

Da Ottobre a Dicembre 2015 è Guest Scientist c/o Paul-Drude-Institut in Berlin nel gruppo di Epiassia per: “Molecular Beam Epitaxy growth and characterization of Phase Change Materials based on Ge(Sb)Te alloys and GeTe/Sb2Te3 superlattices”.

Da Ottobre a Dicembre 2014 è Guest Scientist c/o Paul-Drude-Institut in Berlin nel gruppo di Epiassia per: “Molecular Beam Epitaxy growth of the 2D crystal Sb2Te3 on several substrates”.

Tra il 1995 è 1999 ottiene varie fellowships Post-Doc dell'Istituto Nazionale per la Fisica della Materia (INFM) e del Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR).

Didattica

Dal 2016 F. Arciprete è titolare del corso: "Fisica Generale II (9 cfu)" per la Laurea Triennale in Chimica.

Dal 2011, è titolare del corso: "Introduzione alla Crescita dei Cristalli (6 cfu)" per la Laurea Magistrale in Scienza e Tecnologia dei Materiali e in Fisica.

Tra 2009 e il 2011, per il Dottorato di Ricerca in Fisica, dà una serie di lezioni su: "Epitaxial Growth of Semiconductor Nanostructures" e "Concepts in Crystal Growth: Molecular Beam Epitaxy".

E' relatore e correlatore per la tesi di Laurea di molti studenti dei corsi di laurea Triennale e Magistrale in Fisica e in Scienza dei Materiali e per studenti di Dottorato.

Tra il 2014 e il 2017 è membro del Collegio dei Docenti del Dottorato di Ricerca in Fisica dell'Università di Roma "Tor Vergata".

Ricerca

F. Arciprete è un esperto di Molecular Beam Epitaxy (MBE), Scanning Tunneling Microscopy e Atomic Force Microscopy; tecniche di diffrazione: RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) e LEED (Low Energy Electron Diffraction), spettroscopia di fotoemissione (XPS e UPS), Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS), Extended X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy (EXAFS).

- L'attività di ricerca principale riguarda la crescita mediante Molecular Beam Epitaxy e la caratterizzazione strutturale ed elettronica della lega GaAsBi, un materiale emergente per la Fotonica e potenzialmente un nuovo Isolante Topologico. Questa attività è in collaborazione con lo Institute of Physics della Academy of Sciences della Repubblica Ceca e con il Paul-Drude Institut di Berlino (D).

- In collaborazione con il Paul-Drude-Institute di Berlino si occupa della crescita e caratterizzazione di cristalli 2D e materiali a cambiamento di fase (PCM) basati sulla lega pseudobinaria GeTe-Sb2Te3.

L'attività di ricerca di F.Arciprete ha riguardato diverse tematiche:

1) Proprietà elettroniche di stato normale di superconduttori ad alta Tc.

2) Proprietà ottiche ed elettroniche di superficie di semiconduttori.

3) Crescita MBE e caratterizzazione di Semiconduttori Magnetici diluiti basati sulla lega GaMnAs (in collaborazione con il Nanosclae Science Department del Max-Planck-Institute di Stoccarda).

4) Crecita e caratterizzazione dell'eterostruttura di semiconduttori ad alto disadattamento reticolare InAs/GaAs(001). Lo scopo di questa ricerca è la comprensione dei fenomeni di nucleazione e dei meccanismi di crescita di Quantum Dots (QDs) di III-V. E' stato affrontato anche il problema della selezione selettiva di singoli QDs di InAs/GaAs.

Selezione di progetti di ricerca finanziati:

Consolidate the Foundations 2015: “GaAs(1-x)Bix aLLoY: a potential candidate for Future Photonic Devices – BILLY” – 18 mesi, 16500 €. University of Rome Tor Vergata, CUP: E82F16000400005. Principal Investigator.

Bilateral Mobility Project 2016-2018: “Study of Bi-containing III-V alloys as potential candidates for a new 3-dimensional topological insulator” – 15000 €. CNR-CAS(Czech Republic), cod. SAC.AD002.018.017

PRIN 2007: "Single InAs Quantum Dots self-assembled on GaAs(001) nanostructured surfaces:effects of the epitaxial growth on the structural and electronic properties" - 24 mesi, 146100 €. MIUR: cod.  2007S4FAA4_003.

PRIN 2005: “Selective Nucleation of InAs Quantum Dots on GaAs(001)” - 24 mesi.  MIUR: cod. 2005025173_001

F. Arciprete ha collaborazioni con varie istituzioni nazionali e internazionali:

- Paul Drude Institute for Solid State Electronics (Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik) di Berlin per la crescita e caratterizzazione di materiali a cambiamento di fase (PCM) a cristalli 2D.

- Dipartimento di Fisica, Università di Modena e Reggio Emilia, per la modellizzazione teorica della crescita delle eterostrutture e delle proprietà otiche.

- Dipartimento di Fisica, Università di Firenze, per la caratterizzazione ottica delle nanostrutture.

- Institute of Physics, Academy of Sciences della Repubblica Ceca (Praga) per la caratterizzazione elettronica delle leghe di GaAsBi.

- Laboratorio STM dell'Istituto di Fisica della MAtria del CNR in Roma, per la caratterizzazione strutturale su scala atomica delle superfici.

- Laboratorio L-NESS di Como dell'Istituto di Fotonica e Nanotecnologie del CNR, per la nanostrutturazione delle superfici mediante litografia.

F.Arciprete è revisore di Progetti per il Ministero per l'Università e la Ricerca (MIUR), Aree ERC: PE3_7, PE4_4, PE5_8.

E' revisore per riviste internazionali della: Elsevier Science, American Institute of Physics, MDPI AG, Nature Publishing Group, American Chemical Society.

F. Arciprete ha partecipato a numerose Conferenze Internazionali e Workshop con molte presentazioni orali e relazioni su invito.

E' autore di più di 80 pubblicazioni su riviste ad alto fattore di impatto (IF).

Lista delle 5 migliori pubblicazioni:

1. Metal-insulator transition driven by vacancy ordering in GeSbTe phase change materials

V. Bragaglia, F. Arciprete, W. Zhang, A. M. Mio, E. Zallo, K. Perumal, A. Giussani, S. Cecchi, J. E. Boschker, H. Riechert, S. Privitera, E. Rimini, R. Mazzarello, R. Calarco; Scientific Reports 6, 23843 (2016)

2. The Unexpected Role of Arsenic in Driving the Selective Growth of InAs Quantum Dots on GaAs

F. Arciprete, E. Placidi, R.Magri, M. Fanfoni, A. Balzarotti, and F.Patella; ACS Nano 7, 3868-3875 (2013)

3. Tracing the two-to-three dimensional transition in the InAs/GaAs(001) heteroepitaxial growth

F. Patella, S. Nufris, F. Arciprete, M. Fanfoni, E. Placidi, A. Sgarlata, and A. Balzarotti; Physical Review B 67, 205308 (2003).

4. Temperature dependence of the size distribution function of InAs on GaAs(001) quantum dots

F. Arciprete, E. Placidi, M. Fanfoni, F. Patella, A. Della Pia, and A. Balzarotti; Physical Review B 81, 165306 (2010).

5. Apparent critical thickness versus temperature for InAs quantum dot formation of InAs on GaAs(001)

F. Patella, F. Arciprete, M. Fanfoni, A. Balzarotti, E. Placidi; Applied Physics Letters 88, 161903 (2006).